Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Неведомский, В. Н.

Статьи. Автор - Неведомский, В. Н.

• Формирование в условиях гидротермально-микроволнового синтеза и оптические свойства фазы пирохлора в системе Bi[2]O[3]-Fe[2]O[3]-WO[3]-(H[2]O)
  Ломакин, М. С., Проскурина, О. В., Левин, А. А., Сергеев, А. А., Леонов, А. А., Неведомский, В. Н., Вознесенский, С. С.
  
  Формирование в условиях гидротермально-микроволнового синтеза и оптические свойства фазы пирохлора в системе Bi[2]O[3]-Fe[2]O[3]-WO[3]-(H[2]O), М. С. Ломакин, О. В. Проскурина, А. А. Левин [и др.] рис. // Журнал неорганической химии .- 2022 .- Т. 67, № 6. - С. 750-760 .-
• Получение наноразмерного альфа-Fe[2]O[3] с применением механоактивации
  Калинкин, А. М., Кузьмич, Ю. В., Залкинд, О. А., Неведомский, В. Н.
  
  Получение наноразмерного альфа-Fe[2]O[3] с применением механоактивации, А. М. Калинкин, Ю. В. Кузьмич, О. А. Залкинд, В. Н. Неведомский // Журнал общей химии .- 2019 .- Т. 89, № 12. - С. 1949-1954 .-
• Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
  Левин, Р. В., Лёвин, Р. В., Неведомский, В. Н., Баженов, Н. Л., Зегря, Г. Г. , Пушный, Б. В., Мизеров, М. Н.
  
  Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 273-276 Левин_исследование
• Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера
  Бабичев, А. В., Гладышев, А. Г., Курочкин, А. С., Колодезный, Е. С., Неведомский, В. Н., Карачинский, Л. Я., Новиков, И. И. , Софронов, А. Н., Егоров, А. Ю.
  
  Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 365-369 Бабичев_спонтанное
• Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников
  Блохин, С. А., Неведомский, В. Н., Блохин, А. А., Васильев, А. П., Бабичев, А. В., Гладышев, А. Г., Новиков, И. И. , Карачинский, Л. Я., Егоров, А. Ю., Устинов, В. М.
  
  Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников, [Электронный ресурс] Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1088-1096 Блохин_вертикально
• Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC
  Астрова, Е. В., Нащёкин, А. В., Улин, В. П., Парфеньева, А. В., Нащекин, А. В., Неведомский, В. Н., Байдакова, М. В.
  
  Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC, [Электронный ресурс] цв. ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 753-765 Астрова_взаимодействие
• Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов
  Малеев, Н. А., Беляков, В. А., Васильев, А. П., Бобров, М. А. , Блохин, С. А., Кулагина, М. М., Кузьменков, А. Г., Неведомский, В. Н., Гусева, Ю. А., Устинов, В. М.
  
  Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1484-1488 Малеев_молекулярно
• Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In[0.4]Ga[0.6]As, выращенных на подложках GaAs
  Надточий, А. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Рувимов, С. C., Неведомский, В. Н., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In[0.4]Ga[0.6]As, выращенных на подложках GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 57-62 Надточий_оптические
• Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе
  Салий, Р. А., Минтаиров, С. А., Надточий, А. М., Неведомский, В. Н., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1079-1087 Салий_сравнительный
• Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур а-Si/SiO[2] и а-Ge/SiO[2] на подложках p-Si, отожженных при разных температурах
  Сресели, О. М. , Бёрт, Н. А., Елистратова, М. А., Горячев, Д. Н., Берегулин, Е. В., Неведомский, В. Н., Берт, Н. А., Ершов, А. В.
  
  Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур а-Si/SiO[2] и а-Ge/SiO[2] на подложках p-Si, отожженных при разных температурах , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1112-1116 Сресели_электрические
• Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4°
  Крыжановская, Н. В., Полубавкина, Ю. С., Неведомский, В. Н., Никитина, Е. В., Лазаренко, А. А., Егоров, А. Ю., Максимов, М. В., Моисеев, Э. И., Жуков, А. Е.
  
  Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4° , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 276-280 Крыжановская_исследование
• Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400нм
  Егоров, А. Ю., Карачинский, Л. Я., Новиков, И. И. , Бабичев, А. В., Неведомский, В. Н., Бугров, В. Е.
  
  Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400нм, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 624-627 .- Егоров_оптические
• Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In[0.25]Ga[0.75]As методом МОС-гидридной эпитаксии
  Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Максимов, М. В., Надточий, А. М., Неведомский, В. Н., Жуков, А. Е.
  
  Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In[0.25]Ga[0.75]As методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 704-710 Минтаиров_квантовые
• Твердофазный синтез нанокристаллического цирконата лантана с применением механоактивации
  Калинкин, А. М., Усольцев, А. В., Калинкина, Е. В., Неведомский, В. Н., Залкинд, О. А.
  
  Твердофазный синтез нанокристаллического цирконата лантана с применением механоактивации, [[Текст]], А. М. Калинкин [и др.] // Журнал общей химии .- 2017 .- Т. 87 (149), вып. 10. - С. 1597-1604 .-
• Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb
  Сокура, Л. А., Пархоменко, Я. А., Моисеев, К. Д., Неведомский, В. Н., Берт, Н. А.
  
  Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 8. - С. 1146-1150 Сокура_квантовые
• Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs
  Моисеев, К. Д., Неведомский, В. Н., Kudriavtsev, Yu., Escobosa-Echavarria, A., Lopez-Lopez, M.
  
  Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1189-1195 Моисеев_дельта
• Многослойные InGaAs-гетероструктуры ”квантовая яма-точки“ в фотопреобразователях на основе GaAs
  Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В., Неведомский, В. Н., Сокура, Л. А., Рувимов, С. С., Шварц, М. З., Жуков, А. Е.
  
  Многослойные InGaAs-гетероструктуры ”квантовая яма-точки“ в фотопреобразователях на основе GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1131-1136 Минтаиров_многослойные
• Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров
  Бабичев, А. В., Колодезный, Е. С., Филимонов, А. В., Усикова, А. А., Неведомский, В. Н., Гладышев, А. Г., Денисов, Д. В., Карачинский, Л. Я., Новиков, И. И. , Егоров, А. Ю.
  
  Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 597-602 Бабичев_гетероструктуры
• Квантовые точки ”ядро–оболочка“ Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
  Сресели, О. М. , Лихачёв, А. И., Неведомский, В. Н., Лихачев, А. И., Яссиевич, И. Н., Ершов, А. В., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Андреев, Б. А., Яблонский, А. Н.
  
  цв. ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 2. - С. 129-137 .- Сресели_квантовые