| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом металлоорганической газофазной эпитаксии получены квантовые точки InAs и In[0.8]Ga[0.2]As в матрице GaAs, а также GaAs-фотопреобразователи с квантовыми точками обоих типов в i-области. В результате исследования методами фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что ансамбль квантовых точек In[0.8]Ga[0.2]As имеет высокую однородность, содержит меньшее число дефектных квантовых точек большого размера, а также обеспечивает снижение механических напряжений в структуре. Анализ спектральных зависимостей внутреннего квантового выхода показал сохранение качества матрицы фотоэлектрического преобразователя с квантовыми точками In[0.8]Ga[0.2]As на уровне, близком к качеству реперного GaAs-фотопреобразователя при встраивании до 20 рядов квантовых точек. При этом обеспечивается линейный прирост добавочного фототока, генерированного за счет поглощения подзонных фотонов в квантовых точках In[0.8]Ga[0.2]As, с увеличением количества рядов квантовых точек, так как сохраняется величина прироста фототока в пересчете на один ряд. |
| Ключевые слова | квантовые точки |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1079-1087 |
|
| Имя макрообъекта | Салий_сравнительный |
