| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677258307 |
| Дата корректировки | 15:23:50 17 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.10.49946.9418 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Салий, Р. А. | |
|
Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе Электронный ресурс |
|
| Comparative analysis of the optical and physical properties of InAs In[0.8]Ga[0.2]As quantum dots and solar cells based on them | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 39 назв. |
| Аннотация | Методом металлоорганической газофазной эпитаксии получены квантовые точки InAs и In[0.8]Ga[0.2]As в матрице GaAs, а также GaAs-фотопреобразователи с квантовыми точками обоих типов в i-области. В результате исследования методами фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что ансамбль квантовых точек In[0.8]Ga[0.2]As имеет высокую однородность, содержит меньшее число дефектных квантовых точек большого размера, а также обеспечивает снижение механических напряжений в структуре. Анализ спектральных зависимостей внутреннего квантового выхода показал сохранение качества матрицы фотоэлектрического преобразователя с квантовыми точками In[0.8]Ga[0.2]As на уровне, близком к качеству реперного GaAs-фотопреобразователя при встраивании до 20 рядов квантовых точек. При этом обеспечивается линейный прирост добавочного фототока, генерированного за счет поглощения подзонных фотонов в квантовых точках In[0.8]Ga[0.2]As, с увеличением количества рядов квантовых точек, так как сохраняется величина прироста фототока в пересчете на один ряд. |
| Ключевые слова | квантовые точки |
|
фотоэлектрические преобразователи фототок газофазная эпитаксия фотолюминесценция электронная микроскопия арсенид галлия арсенид индия |
|
|
Минтаиров, С. А. Надточий, А. М. Неведомский, В. Н. Шварц, М. З. Калюжный, Н. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1079-1087 |
|
| Имя макрообъекта | Салий_сравнительный |
| Тип документа | b |
