-
Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Рыбальченко, Д. В., Минтаиров, С. А., Салий, Р. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 94-100
Рыбальченко_оптимизация
-
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In[0.4]Ga[0.6]As, выращенных на подложках GaAs
Надточий, А. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Рувимов, С. C., Неведомский, В. Н., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In[0.4]Ga[0.6]As, выращенных на подложках GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 57-62
Надточий_оптические
-
Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе
Салий, Р. А., Минтаиров, С. А., Надточий, А. М., Неведомский, В. Н., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1079-1087
Салий_сравнительный
-
Оптические свойства гибридных наноструктур ”квантовая яма-точки“, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В., Рувимов, С. С., Жуков, А. Е.
Оптические свойства гибридных наноструктур ”квантовая яма-точки“, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 372-377
Минтаиров_оптические
-
Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
Минтаиров, С. А., Емельянов, В. М., Рыбальченко, Д. В., Салий, Р. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs, [Текст]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 4. - С. 525-530 .-
Минтаиров_гетероструктуры
-
Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In[0.25]Ga[0.75]As методом МОС-гидридной эпитаксии
Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Максимов, М. В., Надточий, А. М., Неведомский, В. Н., Жуков, А. Е.
Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In[0.25]Ga[0.75]As методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 704-710
Минтаиров_квантовые
-
Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель
Минтаиров, М. А., Евстропов, В. В., Минтаиров, С. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 7. - С. 987-992 .-
Минтаиров_растекание
-
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их структурные и морфологические свойства
Середин, П. В., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Арсентьев, И. Н., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Николаев, Д. Н., Prutskij, Тatiana
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их структурные и морфологические свойства, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 8. - С. 1131-1137
Середин_экспериментальные
-
Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
Крыжановская, Н. В., Иванов, К. А., Моисеев, Э. И., Надточий, А. М., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Хабибуллин, Р. А., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом, Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов [и др.]
1 файл (282 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2023 .-
Т. 131, № 11. - С. 1483-1485 .-
-
In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства
Салий, Р. А., Косарев, И. С., Минтаиров, С. А., Надточий, А. М., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 7. - С. 729-735 .-
Салий_In
-
Многослойные InGaAs-гетероструктуры ”квантовая яма-точки“ в фотопреобразователях на основе GaAs
Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В., Неведомский, В. Н., Сокура, Л. А., Рувимов, С. С., Шварц, М. З., Жуков, А. Е.
Многослойные InGaAs-гетероструктуры ”квантовая яма-точки“ в фотопреобразователях на основе GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1131-1136
Минтаиров_многослойные
-
Рекомбинация в GaAs p-i-n-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности
Минтаиров, М. А., Евстропов, В. В., Минтаиров, С. А., Салий, Р. А., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
Рекомбинация в GaAs p-i-n-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1126-1130
Минтаиров_рекомбинация
-
Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения
Надточий, А. М., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Паюсов, А. С., Rouvimov, S. S., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1202-1207 .-
Надточий_оптические
-
Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
Хвостиков, B. П., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Емельянов, В. М., Тимошина, Н. Х., Андреев, В. М.
Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1242-1246 .-
Хвостиков_фотоэлектрический
-
Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами
Жуков, А. Е. , Гордеев, Н. Ю., Шерняков, Ю. М., Паюсов, А. С., Серин, А. А., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Максимов, М. В.
Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1351-1356
Жуков_снижение
-
Предельная температура генерации микродисковых лазеров
Жуков, А. Е. , Крыжановская, Н. В., Моисеев, Э. И., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В.
Предельная температура генерации микродисковых лазеров, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 6. - С. 570-574
Жуков_предельная
-
Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
Емельянов, В. М., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Нахимович, М. В., Салий, Р. А., Шварц, М. З.
Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 400-407
Емельянов_влияние