| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In[0.25]Ga[0.75]As методом МОС-гидридной эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены квантовые точки InAs в метаморфной матрице InGaAs, излучающие в диапазоне длин волн 1380-1400 нм при комнатной температуре. Структуры выращивались на многослойном метаморфном буфере, состоящем из девяти подслоев In[x]Ga[1-x]As, каждый из которых имел толщину 200 нм. В первых семи слоях концентрация индия x последовательно увеличивалась на величину ~ 3.5%, достигая 24.5%. Затем выращивался компенсирующий слой с концентрацией x = 28% и финальный бездислокационный слой с x = 24.5%. Показано, что релаксация упругих напряжений с загибом дислокаций на интерфейсах происходит в третьем от поверхности слое, а верхний слой свободен от дислокаций на обоих интерфейсах. Квантовые точки формировались в метаморфной матрице посредством осаждения 2-2.5 монослоев InAs при 520°C с последующим заращиванием тонким слоем InGaAs при той же температуре роста. Установлено, что для улучшения структурного и оптического качества образцов необходимо увеличивать скорость роста и уменьшать концентрацию индия в покрывающем квантовые точки слое InGaAs, по отношению к соответствующим параметрам роста последнего подслоя метаморфного буфера. |
| Ключевые слова | МОС-гидридная эпитаксия |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 5. - С. 704-710 |
|
| Имя макрообъекта | Минтаиров_квантовые |
