| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs Электронный ресурс |
|
| Аннотация | На основе однопереходных структур AlGaAs/GaAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлo-органических соединений, разработаны и изготовлены преобразователи лазерного излучения с длиной волны лямбда = 809 нм. С применением математического моделирования проведена оптимизация параметров фотоэлементной структуры - оптического "окна" и эмиттера. Изготовлены и исследованы преобразователи площадью S = 10.2, 12.2мм{2} и 4cм{2}. Для фотоэлементов с S = 10.2мм{2} значения монохроматической эффективности составили 60.0% при плотности тока 5.9A/cм{2}. |
| Ключевые слова | фотоэлектрические преобразователи |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 9. - С. 1242-1246 |
| Имя макрообъекта | Хвостиков_фотоэлектрический |
