| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/674835525 |
| Дата корректировки | 14:33:14 20 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Хвостиков, B. П. | |
|
Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs Электронный ресурс |
|
| Laser power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructure | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | На основе однопереходных структур AlGaAs/GaAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлo-органических соединений, разработаны и изготовлены преобразователи лазерного излучения с длиной волны лямбда = 809 нм. С применением математического моделирования проведена оптимизация параметров фотоэлементной структуры - оптического "окна" и эмиттера. Изготовлены и исследованы преобразователи площадью S = 10.2, 12.2мм{2} и 4cм{2}. Для фотоэлементов с S = 10.2мм{2} значения монохроматической эффективности составили 60.0% при плотности тока 5.9A/cм{2}. |
| Ключевые слова | фотоэлектрические преобразователи |
|
лазерное излучение гетероструктуры газофазная эпитаксия преобразователи лазерного излучения полупроводниковые лазеры арсенид алюминия-галлия |
|
|
Калюжный, Н. А. Минтаиров, С. А. Сорокина, С. В. Потапович, Н. С. Емельянов, В. М. Тимошина, Н. Х. Андреев, В. М. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 9. - С. 1242-1246 |
| Имя макрообъекта | Хвостиков_фотоэлектрический |
| Тип документа | b |
