Поиск

Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs

Авторы: Хвостиков, B. П. Калюжный, Н. А. Минтаиров, С. А. Сорокина, С. В. Потапович, Н. С. Емельянов, В. М. Тимошина, Н. Х. Андреев, В. М.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/674835525
Дата корректировки 12:07:00 26 апреля 2025 г.
Служба первич. каталог. BY-HM0026
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Хвостиков, B. П.
Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
Электронный ресурс
Laser power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructure
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 13 назв.
Аннотация На основе однопереходных структур AlGaAs/GaAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлo-органических соединений, разработаны и изготовлены преобразователи лазерного излучения с длиной волны лямбда = 809 нм. С применением математического моделирования проведена оптимизация параметров фотоэлементной структуры - оптического "окна" и эмиттера. Изготовлены и исследованы преобразователи площадью S = 10.2, 12.2мм{2} и 4cм{2}. Для фотоэлементов с S = 10.2мм{2} значения монохроматической эффективности составили 60.0% при плотности тока 5.9A/cм{2}.
Ключевые слова фотоэлектрические преобразователи
лазерное излучение
гетероструктуры
газофазная эпитаксия
преобразователи лазерного излучения
полупроводниковые лазеры
арсенид алюминия-галлия
Калюжный, Н. А.
Минтаиров, С. А.
Сорокина, С. В.
Потапович, Н. С.
Емельянов, В. М.
Тимошина, Н. Х.
Андреев, В. М.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 9. - С. 1242-1246
Имя макрообъекта Хвостиков_фотоэлектрический
Тип документа b