-
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1064нм) на основе GaInAsP/InP
Хвостиков, В. П., Лёвин, Р. В., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Левин, Р. В., Маричев, А. E., Тимошина, Н. Х., Пушный, Б. В.
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1064нм) на основе GaInAsP/InP , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1641-1646
Хвостиков_фотоэлектрические
-
Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Рыбальченко, Д. В., Минтаиров, С. А., Салий, Р. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 94-100
Рыбальченко_оптимизация
-
Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (лямбда = 808нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
Хвостиков, В. П., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Хвостикова, О. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З.
Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (лямбда = 808нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 385-389
Хвостиков_модификация
-
Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
Минтаиров, С. А., Емельянов, В. М., Рыбальченко, Д. В., Салий, Р. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs, [Текст]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 4. - С. 525-530 .-
Минтаиров_гетероструктуры
-
Формирование p-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях
Карлина, Л. Б., Власов, А. С., Бер, Б. Я., Казанцев, Д. Ю., Тимошина, Н. Х., Кулагина, М. М., Смирнов, А. Б.
Формирование p-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 699-703
Карлина_формирование
-
Фотоэлектрический приемник лазерного излучения (лямбда = 809нм) на основе GаAs
Хвостиков, В. П., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Хвостикова, О. А., Тимошина, Н. Х.
Фотоэлектрический приемник лазерного излучения (лямбда = 809нм) на основе GаAs , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 676-679
Хвостиков_фотоэлектрический
-
Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель
Минтаиров, М. А., Евстропов, В. В., Минтаиров, С. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 7. - С. 987-992 .-
Минтаиров_растекание
-
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1550нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики
Хвостиков, В. П., Лёвин, Р. В., Сорокина, С. В., Хвостикова, О. А., Левин, Р. В., Пушный, Б. В., Тимошина, Н. Х., Андреев, В.М.
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1550нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики , [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1358-1362 .-
Хвостиков_фотоэлектрические
-
Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
Хвостиков, B. П., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Емельянов, В. М., Тимошина, Н. Х., Андреев, В. М.
Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1242-1246 .-
Хвостиков_фотоэлектрический
