| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (лямбда = 808нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Аннотация | На основе однопереходных структур n-Al[0.07]Ga[0.93]As-p-Al[0.07]Ga[0.93]As-p-Al[0.25]Ga[0.75]As методом эпитаксии из жидкой фазы получены преобразователи лазерного излучения (ЛИ) для длины волны лямбда = 808 нм, проведено их тестирование при равномерном (импульсный имитатор) и частично неравномерном (лазерный луч) распределении освещенности на фотоприемной поверхности. При равномерной засветке на образцах площадью S = 4 cм{2} при мощности 1.2 Вт достигнут монохроматический кпд µ = 53.1%. Для преобразователей с S = 10.2мм{2} кпд составил 58.3% при мощности лазерного излучения 0.7 Вт. |
| Ключевые слова | лазерное излучение |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 3. - С. 385-389 |
|
| Имя макрообъекта | Хвостиков_модификация |
