| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688040152 |
| Дата корректировки | 10:30:38 20 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.03.45626.8740 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Хвостиков, В. П. | |
|
Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (лямбда = 808нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Modification of laser power converters (lambda = 808nm) by using LPE | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 7 назв. |
| Аннотация | На основе однопереходных структур n-Al[0.07]Ga[0.93]As-p-Al[0.07]Ga[0.93]As-p-Al[0.25]Ga[0.75]As методом эпитаксии из жидкой фазы получены преобразователи лазерного излучения (ЛИ) для длины волны лямбда = 808 нм, проведено их тестирование при равномерном (импульсный имитатор) и частично неравномерном (лазерный луч) распределении освещенности на фотоприемной поверхности. При равномерной засветке на образцах площадью S = 4 cм{2} при мощности 1.2 Вт достигнут монохроматический кпд µ = 53.1%. Для преобразователей с S = 10.2мм{2} кпд составил 58.3% при мощности лазерного излучения 0.7 Вт. |
| Ключевые слова | лазерное излучение |
|
фотоэлектрические преобразователи жидкофазная эпитаксия преобразователи лазерного излучения гетероструктуры радиационный нагрев |
|
|
Сорокина, С. В. Потапович, Н. С. Хвостикова, О. А. Тимошина, Н. Х. Шварц, М. З. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 3. - С. 385-389 |
|
| Имя макрообъекта | Хвостиков_модификация |
| Тип документа | b |
