Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Сорокина, С. В.

Статьи. Автор - Сорокина, С. В.

• Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1064нм) на основе GaInAsP/InP
  Хвостиков, В. П., Лёвин, Р. В., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Левин, Р. В., Маричев, А. E., Тимошина, Н. Х., Пушный, Б. В.
  
  Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1064нм) на основе GaInAsP/InP , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1641-1646 Хвостиков_фотоэлектрические
• Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP
  Емельянов, В. М., Сорокина, С. В., Хвостиков, В. П., Шварц, М. З.
  
  Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 1. - С. 132-137 Емельянов_моделирование характеристик
• Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм
  Емельянов, В. М., Минтаиров, С. А., Сорокина, С. В., Хвостиков, В. П., Шварц, М. З.
  
  Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 1. - С. 125-131 .- Емельянов_моделирование
• Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (лямбда = 808нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
  Хвостиков, В. П., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Хвостикова, О. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З.
  
  Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (лямбда = 808нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 385-389 Хвостиков_модификация
• Фотоэлектрический приемник лазерного излучения (лямбда = 809нм) на основе GаAs
  Хвостиков, В. П., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Хвостикова, О. А., Тимошина, Н. Х.
  
  Фотоэлектрический приемник лазерного излучения (лямбда = 809нм) на основе GаAs , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 676-679 Хвостиков_фотоэлектрический
• Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1550нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики
  Хвостиков, В. П., Лёвин, Р. В., Сорокина, С. В., Хвостикова, О. А., Левин, Р. В., Пушный, Б. В., Тимошина, Н. Х., Андреев, В.М.
  
  Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1550нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики , [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1358-1362 .- Хвостиков_фотоэлектрические
• Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
  Хвостиков, B. П., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Емельянов, В. М., Тимошина, Н. Х., Андреев, В. М.
  
  Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1242-1246 .- Хвостиков_фотоэлектрический