| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1550нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики Электронный ресурс |
|
| Аннотация | С применением эпитаксии из жидкой фазы, химического осаждения из паров металлорганических соединений и диффузии из газовой фазы в подложку n-GaSb разработаны фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения c длиной волны лямбда = 1550 нм. Изготовлены и протестированы фотоэлементы площадью S = 4, 12.2 и 100 мм{2}, проведено сравнение характеристик образцов, полученных различными технологическими методами. На лучших преобразователях (S = 12.2 мм{2}) значения монохроматической эффективности составили 38.7% при мощности лазерного излучения 1.4 Вт. |
| Ключевые слова | фотоэлектрические преобразователи |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 10. - С. 1358-1362 |
| Имя макрообъекта | Хвостиков_фотоэлектрические |
