| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675008589 |
| Дата корректировки | 14:33:25 22 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Хвостиков, В. П. | |
|
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1550нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики Электронный ресурс |
|
| GaSb laser power (Lambda = 1550nm) converters: technological method of fabrication and features | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | С применением эпитаксии из жидкой фазы, химического осаждения из паров металлорганических соединений и диффузии из газовой фазы в подложку n-GaSb разработаны фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения c длиной волны лямбда = 1550 нм. Изготовлены и протестированы фотоэлементы площадью S = 4, 12.2 и 100 мм{2}, проведено сравнение характеристик образцов, полученных различными технологическими методами. На лучших преобразователях (S = 12.2 мм{2}) значения монохроматической эффективности составили 38.7% при мощности лазерного излучения 1.4 Вт. |
| Служебное примечание | Лёвин, Р. В. |
| Ключевые слова | фотоэлектрические преобразователи |
|
лазерное излучение антимонид галлия жидкофазная эпитаксия полупроводники |
|
|
Сорокина, С. В. Хвостикова, О. А. Левин, Р. В. Пушный, Б. В. Тимошина, Н. Х. Андреев, В.М. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 10. - С. 1358-1362 |
| Имя макрообъекта | Хвостиков_фотоэлектрические |
| Тип документа | b |
