-
Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (лямбда = 808нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
Хвостиков, В. П., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Хвостикова, О. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З.
Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (лямбда = 808нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 385-389
Хвостиков_модификация
-
Фотоэлектрический приемник лазерного излучения (лямбда = 809нм) на основе GаAs
Хвостиков, В. П., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Хвостикова, О. А., Тимошина, Н. Х.
Фотоэлектрический приемник лазерного излучения (лямбда = 809нм) на основе GаAs , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 676-679
Хвостиков_фотоэлектрический
-
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1550нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики
Хвостиков, В. П., Лёвин, Р. В., Сорокина, С. В., Хвостикова, О. А., Левин, Р. В., Пушный, Б. В., Тимошина, Н. Х., Андреев, В.М.
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1550нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики , [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1358-1362 .-
Хвостиков_фотоэлектрические
