-
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1064нм) на основе GaInAsP/InP
Хвостиков, В. П., Лёвин, Р. В., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Левин, Р. В., Маричев, А. E., Тимошина, Н. Х., Пушный, Б. В.
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1064нм) на основе GaInAsP/InP , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1641-1646
Хвостиков_фотоэлектрические
-
Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (лямбда = 808нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
Хвостиков, В. П., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Хвостикова, О. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З.
Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (лямбда = 808нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 385-389
Хвостиков_модификация
-
Фотоэлектрический приемник лазерного излучения (лямбда = 809нм) на основе GаAs
Хвостиков, В. П., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Хвостикова, О. А., Тимошина, Н. Х.
Фотоэлектрический приемник лазерного излучения (лямбда = 809нм) на основе GаAs , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 676-679
Хвостиков_фотоэлектрический
-
Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
Хвостиков, B. П., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Емельянов, В. М., Тимошина, Н. Х., Андреев, В. М.
Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1242-1246 .-
Хвостиков_фотоэлектрический
