Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Шварц, М. З.

Статьи. Автор - Шварц, М. З.

• Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A{III}B{V}
  Мусалинов, С. Б., Анзулевич, А. П., Бычков, И. В., Гудовских, А. С., Шварц, М. З.
  
  Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A{III}B{V}, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 89-93 Мусалинов_влияние
• Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
  Рыбальченко, Д. В., Минтаиров, С. А., Салий, Р. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 94-100 Рыбальченко_оптимизация
• Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм
  Емельянов, В. М., Минтаиров, С. А., Сорокина, С. В., Хвостиков, В. П., Шварц, М. З.
  
  Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 1. - С. 125-131 .- Емельянов_моделирование
• Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (лямбда = 808нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
  Хвостиков, В. П., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Хвостикова, О. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З.
  
  Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (лямбда = 808нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 385-389 Хвостиков_модификация
• Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе
  Салий, Р. А., Минтаиров, С. А., Надточий, А. М., Неведомский, В. Н., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1079-1087 Салий_сравнительный
• Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
  Минтаиров, С. А., Емельянов, В. М., Рыбальченко, Д. В., Салий, Р. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs, [Текст] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 4. - С. 525-530 .- Минтаиров_гетероструктуры
• Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель
  Минтаиров, М. А., Евстропов, В. В., Минтаиров, С. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 7. - С. 987-992 .- Минтаиров_растекание
• In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства
  Салий, Р. А., Косарев, И. С., Минтаиров, С. А., Надточий, А. М., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 7. - С. 729-735 .- Салий_In
• Солнечный высокотемпературный источник тепла для термофотоэлектрического генератора : теория и эксперимент
  Грихелис, В. А., Эндер, А. Я., Колышкин, И. Н., Кузнецов, В. И., Шварц, М. З.
  
  Солнечный высокотемпературный источник тепла для термофотоэлектрического генератора : теория и эксперимент, [Текст] Ил.6
• Многослойные InGaAs-гетероструктуры ”квантовая яма-точки“ в фотопреобразователях на основе GaAs
  Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В., Неведомский, В. Н., Сокура, Л. А., Рувимов, С. С., Шварц, М. З., Жуков, А. Е.
  
  Многослойные InGaAs-гетероструктуры ”квантовая яма-точки“ в фотопреобразователях на основе GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1131-1136 Минтаиров_многослойные
• Рекомбинация в GaAs p-i-n-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности
  Минтаиров, М. А., Евстропов, В. В., Минтаиров, С. А., Салий, Р. А., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Рекомбинация в GaAs p-i-n-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1126-1130 Минтаиров_рекомбинация
• Влияние температуры на характеристики 4H-SiC-фотоприемника
  Калинина, Е. В., Лёвина, С. А., Виолина, Г. Н., Никитина, И. П., Иванова, Е. В., Забродский, В. В., Шварц, М. З., Левина, С. А., Николаев, А. В.
  
  Влияние температуры на характеристики 4H-SiC-фотоприемника, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 195-200 Калинина _влияние
• Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
  Емельянов, В. М., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Нахимович, М. В., Салий, Р. А., Шварц, М. З.
  
  Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 400-407 Емельянов_влияние