Поиск

In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства

Авторы: Салий, Р. А. Косарев, И. С. Минтаиров, С. А. Надточий, А. М. Шварц, М. З. Калюжный, Н. А.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства
Электронный ресурс
Ключевые слова квантовые точки
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2018
Прочая информация Т. 52, вып. 7. - С. 729-735
Имя макрообъекта Салий_In