| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688482860 |
| Дата корректировки | 13:27:20 25 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.07.46043.8808 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Салий, Р. А. | |
|
In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Исследованы особенности роста In[0.8]Ga[0.2]As-квантовых точек на поверхности GaAs и их массивов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и гидридов. С помощью исследования спектров фотолюминесценции при различных температурах было установлено бимодальное распределение In[0.8]Ga[0.2]As-квантовых точек по размерам. Были найдены параметры роста, при которых складирование 20 слоев In[0.8]Ga[0.2]As-квантовых точек в активную область GaAs-фотопреобразователя позволяет увеличить его фотогенерированный ток на 0.97 и 0.77 мА/см{2} для космического и наземного солнечных спектров соответственно, при сохранении высокого качества p-n-перехода. С учетом потерь на безызлучательную рекомбинацию, возникающих вследствие механических напряжений от массива квантовых точек, прирост фотогенерированного тока в фотопреобразователе с квантовыми точками составил ~ 1% относительно референсной структуры GaAs-фотопреобразователя. |
| Ключевые слова | квантовые точки |
|
фотопреобразователи GaAs арсенид галлия фотоэлектрические преобразователи газофазная эпитаксия |
|
|
Косарев, И. С. Минтаиров, С. А. Надточий, А. М. Шварц, М. З. Калюжный, Н. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 7. - С. 729-735 |
| Имя макрообъекта | Салий_In |
| Тип документа | b |
