Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Салий, Р. А.

Статьи. Автор - Салий, Р. А.

• Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
  Рыбальченко, Д. В., Минтаиров, С. А., Салий, Р. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 94-100 Рыбальченко_оптимизация
• Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе
  Салий, Р. А., Минтаиров, С. А., Надточий, А. М., Неведомский, В. Н., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1079-1087 Салий_сравнительный
• Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
  Минтаиров, С. А., Емельянов, В. М., Рыбальченко, Д. В., Салий, Р. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs, [Текст] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 4. - С. 525-530 .- Минтаиров_гетероструктуры
• In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства
  Салий, Р. А., Косарев, И. С., Минтаиров, С. А., Надточий, А. М., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 7. - С. 729-735 .- Салий_In
• Рекомбинация в GaAs p-i-n-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности
  Минтаиров, М. А., Евстропов, В. В., Минтаиров, С. А., Салий, Р. А., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Рекомбинация в GaAs p-i-n-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1126-1130 Минтаиров_рекомбинация
• Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
  Емельянов, В. М., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Нахимович, М. В., Салий, Р. А., Шварц, М. З.
  
  Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 400-407 Емельянов_влияние