| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы вольт-амперные характеристики InxGa[1-x]As/GaAs метаморфных фотопреобразователей со встроенными n-InGaAs/InAlAs брэгговскими отражателями с содержанием индия (In) x = 0.025-0.24. Проведены измерения последовательного сопротивления гетероструктур в диапазоне от 90 до 400 K. Установлено, что резкое увеличение сопротивления легированных кремнием отражателей с ростом доли индия вызвано слабой активацией донорной примеси в слоях InAlAs-n : Si. Вследствие этого в последних образуются энергетические барьеры для основных носителей заряда высотой 0.32-0.36 эВ, которые имеют значительную ширину. Для подавления обнаруженного эффекта разработана технология легирования n-InGaAs/InAlAs брэгговских отражателей теллуром (Te), которая позволила снизить последовательное сопротивление на 5 порядков. Это позволило сохранить фактор заполнения вольт-амперной характеристики на уровне выше 80% вплоть до плотностей тока 2А/см{2}. Достигнутые при этом значения квантовой эффективности фотоответа фотопреобразователей выше 85% свидетельствуют о подавлении характерных для этого типа примеси эффектов "памяти" и сегрегации теллура. |
| Ключевые слова | фотоэлектрические преобразователи |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 4. - С. 400-407 |
|
| Имя макрообъекта | Емельянов_влияние |
