| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675858914 |
| Дата корректировки | 10:41:54 1 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.04.49148.9321 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Емельянов, В. М. | |
|
Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей Электронный ресурс |
|
| Effects of Bragg reflector layers’ doping in the electrical characteristics of InGaAs/GaAs metamorphic photovoltaic converters | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Исследованы вольт-амперные характеристики InxGa[1-x]As/GaAs метаморфных фотопреобразователей со встроенными n-InGaAs/InAlAs брэгговскими отражателями с содержанием индия (In) x = 0.025-0.24. Проведены измерения последовательного сопротивления гетероструктур в диапазоне от 90 до 400 K. Установлено, что резкое увеличение сопротивления легированных кремнием отражателей с ростом доли индия вызвано слабой активацией донорной примеси в слоях InAlAs-n : Si. Вследствие этого в последних образуются энергетические барьеры для основных носителей заряда высотой 0.32-0.36 эВ, которые имеют значительную ширину. Для подавления обнаруженного эффекта разработана технология легирования n-InGaAs/InAlAs брэгговских отражателей теллуром (Te), которая позволила снизить последовательное сопротивление на 5 порядков. Это позволило сохранить фактор заполнения вольт-амперной характеристики на уровне выше 80% вплоть до плотностей тока 2А/см{2}. Достигнутые при этом значения квантовой эффективности фотоответа фотопреобразователей выше 85% свидетельствуют о подавлении характерных для этого типа примеси эффектов "памяти" и сегрегации теллура. |
| Ключевые слова | фотоэлектрические преобразователи |
|
брэгговские отражатели легирование резистивные потери гетерограница метаморфные фотопреобразователи полупроводниковые материалы |
|
|
Калюжный, Н. А. Минтаиров, С. А. Нахимович, М. В. Салий, Р. А. Шварц, М. З. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 4. - С. 400-407 |
|
| Имя макрообъекта | Емельянов_влияние |
| Тип документа | b |
