Поиск

Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

Авторы: Рыбальченко, Д. В. Минтаиров, С. А. Салий, Р. А. Тимошина, Н. Х. Шварц, М. З. Калюжный, Н. А.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Электронный ресурс
Ключевые слова фотопреобразователи
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 1. - С. 94-100
Имя макрообъекта Рыбальченко_оптимизация