| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678467886 |
| Дата корректировки | 15:22:38 1 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.01.44002.8288 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Рыбальченко, Д. В. | |
|
Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Optimization of structural and growth parameters of metamorphic InGaAs photoconverters grown by MOCVD | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Методом МОС-гидридной эпитаксии созданы метаморфные Ga[0.76]In[0.24]As-гетероструктуры фотопреобразователей на подложках n-GaAs. Обнаружено, что из-за разрыва валентных зон на гетерогранице p-In[0.24]Al[0.76]As /p-In[0.24]Ga[0.76]As (широкозонное окно/эмиттер) возникает потенциальный барьер для дырок вследствие технологической сложности создания высокой концентрации активной примеси в широкозонном материале. Использование четверного твердого раствора InAlGaAs c содержанием Al < 40% позволило повысить концентрацию акцепторов в широкозонном окне до ~ 9 · 10{18} см{3} и полностью нивелировать потенциальный барьер, тем самым уменьшив последовательное сопротивление прибора. Произведен расчет параметров метаморфного буфера GaInAs со ступенчатым профилем изменения содержания In, и оптимизированы параметры его эпитаксиального роста, что позволило улучшить собирание носителей заряда из области n-GaInAs и получить квантовую эффективность фотоответа на длине волны 1064 нм 83%. Фотопреобразователи, созданные на основе метаморфных гетероструктур с оптимизированными слоями широкозонного окна и метаморфного буфера, имели кпд преобразования излучения с длиной волны 1064 нм на уровне 38.5%. |
| Ключевые слова | фотопреобразователи |
|
МОС-гидридная эпитаксия лазерное излучение метаморфные гетероструктуры арсенид индия-галлия |
|
|
Минтаиров, С. А. Салий, Р. А. Тимошина, Н. Х. Шварц, М. З. Калюжный, Н. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 1. - С. 94-100 |
|
| Имя макрообъекта | Рыбальченко_оптимизация |
| Тип документа | b |
