Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Рыбальченко, Д. В.

Статьи. Автор - Рыбальченко, Д. В.

• Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
  Рыбальченко, Д. В., Минтаиров, С. А., Салий, Р. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 94-100 Рыбальченко_оптимизация
• Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
  Минтаиров, С. А., Емельянов, В. М., Рыбальченко, Д. В., Салий, Р. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs, [Текст] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 4. - С. 525-530 .- Минтаиров_гетероструктуры