| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs Текст |
|
| Аннотация | Методом МОС-гидридной эпитаксии получены гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей подложках GaAs. Показано, что использование многослойного метаморфного буфера с шагом по содержанию индия 2.5% и толщине слоев 120 нм обеспечивает высокое качество последующих объемных слоев вплоть до концентрации индия ~ 24%. Получены фотопреобразователи с длинноволновым краем фоточувствительности вплоть до 1300 нм и уровнем квантового выхода фотоответа в диапазоне 1050-1100 нм ~ 80%. Анализ напряжения холостого хода фотопреобразователей и диффузионных длин неосновных носителей заряда в слоях позволил установить, что при содержании индия > 10% происходит возрастание плотности дислокаций, прорастающих в объемные слои. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 4. - С. 525-530 |
| Имя макрообъекта | Минтаиров_гетероструктуры |
