| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670604971 |
| Дата корректировки | 15:20:02 1 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Минтаиров, С. А. | |
|
Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs Текст |
|
| Heterostructures of metamorphic GaInAs photo-converters grown by MOCVD on GaAs substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Методом МОС-гидридной эпитаксии получены гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей подложках GaAs. Показано, что использование многослойного метаморфного буфера с шагом по содержанию индия 2.5% и толщине слоев 120 нм обеспечивает высокое качество последующих объемных слоев вплоть до концентрации индия ~ 24%. Получены фотопреобразователи с длинноволновым краем фоточувствительности вплоть до 1300 нм и уровнем квантового выхода фотоответа в диапазоне 1050-1100 нм ~ 80%. Анализ напряжения холостого хода фотопреобразователей и диффузионных длин неосновных носителей заряда в слоях позволил установить, что при содержании индия > 10% происходит возрастание плотности дислокаций, прорастающих в объемные слои. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
фотопреобразователи МОС-гидридная эпитаксия арсенид галлия-индия арсенид галлия галлий индий полупроводники |
|
|
Емельянов, В. М. Рыбальченко, Д. В. Салий, Р. А. Тимошина, Н. Х. Шварц, М. З. Калюжный, Н. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 4. - С. 525-530 |
| Имя макрообъекта | Минтаиров_гетероструктуры |
| Тип документа | b |
