| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур а-Si/SiO[2] и а-Ge/SiO[2] на подложках p-Si, отожженных при разных температурах Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы свойства многослойных наноструктур a-Si(Ge)/SiO[2], осажденных на подложки p-Si и отожженных при разных температурах. Общая толщина нанослоя не превышала 300-350 нм. Обнаружено, что, несмотря на образование кристаллов в нанослое, в фотоэлектрических свойствах гетероперехода нанослой-подложка в исследованном диапазоне 300-900 нм не проявляется квантово-размерный эффект. В то же время эффективность фототока (А/Вт) в этом диапазоне становится постоянной. Полученные результаты мы объясняем малой толщиной нанослоя. При приложении достаточно большого запорного смещения электрическое поле перехода нанослой-подложка достигает внешней границы нанослоя, что резко уменьшает поверхностную рекомбинацию носителей. Именно эта рекомбинация обычно подавляет чувствительность фотодетекторов в коротковолновой области спектра. Постоянная в широком спектральном диапазоне эффективность исследованных гетероструктур делает их привлекательными для использования в различных фотоэлектрических приборах. |
| Ключевые слова | многослойные наноструктуры |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1112-1116 |
|
| Имя макрообъекта | Сресели_электрические |
