Поиск

Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур а-Si/SiO[2] и а-Ge/SiO[2] на подложках p-Si, отожженных при разных температурах

Авторы: Сресели, О. М. Бёрт, Н. А. Елистратова, М. А. Горячев, Д. Н. Берегулин, Е. В. Неведомский, В. Н. Берт, Н. А. Ершов, А. В.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур а-Si/SiO[2] и а-Ge/SiO[2] на подложках p-Si, отожженных при разных температурах
Электронный ресурс
Аннотация Исследованы свойства многослойных наноструктур a-Si(Ge)/SiO[2], осажденных на подложки p-Si и отожженных при разных температурах. Общая толщина нанослоя не превышала 300-350 нм. Обнаружено, что, несмотря на образование кристаллов в нанослое, в фотоэлектрических свойствах гетероперехода нанослой-подложка в исследованном диапазоне 300-900 нм не проявляется квантово-размерный эффект. В то же время эффективность фототока (А/Вт) в этом диапазоне становится постоянной. Полученные результаты мы объясняем малой толщиной нанослоя. При приложении достаточно большого запорного смещения электрическое поле перехода нанослой-подложка достигает внешней границы нанослоя, что резко уменьшает поверхностную рекомбинацию носителей. Именно эта рекомбинация обычно подавляет чувствительность фотодетекторов в коротковолновой области спектра. Постоянная в широком спектральном диапазоне эффективность исследованных гетероструктур делает их привлекательными для использования в различных фотоэлектрических приборах.
Ключевые слова многослойные наноструктуры
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 10. - С. 1112-1116
Имя макрообъекта Сресели_электрические