| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677352493 |
| Дата корректировки | 17:35:44 18 июня 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2020.10.49953.9468 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Сресели, О. М. | |
|
Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур а-Si/SiO[2] и а-Ge/SiO[2] на подложках p-Si, отожженных при разных температурах Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Исследованы свойства многослойных наноструктур a-Si(Ge)/SiO[2], осажденных на подложки p-Si и отожженных при разных температурах. Общая толщина нанослоя не превышала 300-350 нм. Обнаружено, что, несмотря на образование кристаллов в нанослое, в фотоэлектрических свойствах гетероперехода нанослой-подложка в исследованном диапазоне 300-900 нм не проявляется квантово-размерный эффект. В то же время эффективность фототока (А/Вт) в этом диапазоне становится постоянной. Полученные результаты мы объясняем малой толщиной нанослоя. При приложении достаточно большого запорного смещения электрическое поле перехода нанослой-подложка достигает внешней границы нанослоя, что резко уменьшает поверхностную рекомбинацию носителей. Именно эта рекомбинация обычно подавляет чувствительность фотодетекторов в коротковолновой области спектра. Постоянная в широком спектральном диапазоне эффективность исследованных гетероструктур делает их привлекательными для использования в различных фотоэлектрических приборах. |
| Бёрт, Н. А. | |
| Ключевые слова | многослойные наноструктуры |
|
нанокристаллы полупроводники диэлектрическая матрица нанослои-подложки эффективность фототока гетероструктуры |
|
|
Елистратова, М. А. Горячев, Д. Н. Берегулин, Е. В. Неведомский, В. Н. Берт, Н. А. Ершов, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1112-1116 |
|
| Имя макрообъекта | Сресели_электрические |
| Тип документа | b |
