| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Представлены результаты исследований и оптимизации условий формирования гетероинтерфейсов типа GaAs-InGaAsP при использовании прямого межмолекулярного соединения (спекания) пластин с гетероструктурой активной области на подложке InP и распределенных брэгговских отражателей на подложках GaAs в процессе изготовления гибридных гетероструктур длинноволновых вертикально-излучающих лазеров. Гетероструктуры выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников. Показано, что в случае неполного удаления оксидных пленок при подготовке пластин перед спеканием и(или) наличии адсорбированной воды на соединяемых поверхностях пластин интерфейс спекания содержит большое количество аморфных внедрений, по всей видимости, связанных с оксидами элементов III группы. Оптимизация режимов формирования заращенного туннельного перехода, формируемого на поверхности гетероструктуры на пластине InP, позволила снизить шероховатость поверхности до 1 нм и обеспечить толщину интерфейса спекания GaAs-InGaAsP не более 5 нм, при этом дислокации или другие протяженные дефекты в области гетероинтерфейсов спекания не обнаружены. Для созданных по разработанной технологии гибридных гетероструктур и кристаллов вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм характерна эффективная лазерная генерация при непрерывной накачке в широком температурном диапазоне, что свидетельствует о высоком оптическом качестве гетероинтерфейсов спекания в структуре вертикально-излучающего лазера. |
| Ключевые слова | вертикально-излучающие лазеры |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1088-1096 |
|
| Имя макрообъекта | Блохин_вертикально |
