| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676485053 |
| Дата корректировки | 16:35:35 8 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.10.49947.9463 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Блохин, С. А. | |
|
Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников Электронный ресурс |
|
| 1.55 µm-range vertical-cavity surface-emitting lasers, manufactured by wafer fusion of heterostuctures grown by solid-source molecular beam epitaxy | |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследований и оптимизации условий формирования гетероинтерфейсов типа GaAs-InGaAsP при использовании прямого межмолекулярного соединения (спекания) пластин с гетероструктурой активной области на подложке InP и распределенных брэгговских отражателей на подложках GaAs в процессе изготовления гибридных гетероструктур длинноволновых вертикально-излучающих лазеров. Гетероструктуры выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников. Показано, что в случае неполного удаления оксидных пленок при подготовке пластин перед спеканием и(или) наличии адсорбированной воды на соединяемых поверхностях пластин интерфейс спекания содержит большое количество аморфных внедрений, по всей видимости, связанных с оксидами элементов III группы. Оптимизация режимов формирования заращенного туннельного перехода, формируемого на поверхности гетероструктуры на пластине InP, позволила снизить шероховатость поверхности до 1 нм и обеспечить толщину интерфейса спекания GaAs-InGaAsP не более 5 нм, при этом дислокации или другие протяженные дефекты в области гетероинтерфейсов спекания не обнаружены. Для созданных по разработанной технологии гибридных гетероструктур и кристаллов вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм характерна эффективная лазерная генерация при непрерывной накачке в широком температурном диапазоне, что свидетельствует о высоком оптическом качестве гетероинтерфейсов спекания в структуре вертикально-излучающего лазера. |
| Ключевые слова | вертикально-излучающие лазеры |
|
спекание пластин молекулярно-пучковая эпитаксия просвечивающая электронная микроскопия гетероструктуры оксидные пленки полупроводниковые лазеры |
|
|
Неведомский, В. Н. Бобров, М. А. Малеев, Н. А. Блохин, А. А. Кузьменков, А. Г. Васильев, А. П. Рочас, С. С. Бабичев, А. В. Гладышев, А. Г. Новиков, И. И. Карачинский, Л. Я. Денисов, Д. В. Воропаев, К. O. Ионов, А. С. Егоров, А. Ю. Устинов, В. М. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1088-1096 |
|
| Имя макрообъекта | Блохин_вертикально |
| Тип документа | b |
