Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Устинов, В. М.

Статьи. Автор - Устинов, В. М.

• Исследование аномальной генерации вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850nm с двойной оксидной токовой апертурой при большой величине спектральной расстройки
  Блохин, С. А., Бобров, М. А. , Малеев, Н. А., Кузьменков, А. Г., Устинов, В. М.
  
  Исследование аномальной генерации вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850nm с двойной оксидной токовой апертурой при большой величине спектральной расстройки, [Электронный ресурс] ил., схем. Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 8. - С. 1151-1159 Блохин_исследование
• Ширина линии излучения и alpha-фактор вертикально-излучающих лазеров на основе квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 mum
  Блохин, С. А., Блохин, А. А., Малеев, Н. А., Бабичев, А. В., Новиков, И. И. , Карачинский, Л. Я., Колодезный, Е. С., Куликов, А. В., Егоров, А. Ю., Устинов, В. М.
  
  Ширина линии излучения и alpha-фактор вертикально-излучающих лазеров на основе квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 mum, С. А. Блохин, Я. Н. Ковач, М. А. Бобров [и др.] 1 файл (578 Кб) .- Загл. с титул. экрана .- // Оптика и спектроскопия .- 2023 .- Т. 131, № 8. - С. 1095-1100 .-
• Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников
  Блохин, С. А., Неведомский, В. Н., Блохин, А. А., Васильев, А. П., Бабичев, А. В., Гладышев, А. Г., Новиков, И. И. , Карачинский, Л. Я., Егоров, А. Ю., Устинов, В. М.
  
  Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников, [Электронный ресурс] Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1088-1096 Блохин_вертикально
• Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
  Земляков, В. Е., Волков, В. В., Парнес, Я. М., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Заварин, Е. Е., Цацульников, А. Ф., Черкашин, Н. А., Мизеров, М. Н. , Устинов, В. М.
  
  Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 245-249 .- Тихомиров_оптимизация
• Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27мкм
  Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Блохин, С. А., Бобров, М. А. , Кулагина, М. М., Трошков, С. И., Задиранов, Ю. М., Моисеев, Э. И., Устинов, В. М. , Жуков, А. Е.
  
  Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27мкм, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 3. - С. 393-397 .- Крыжановская_инжекционные
• Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов
  Малеев, Н. А., Беляков, В. А., Васильев, А. П., Бобров, М. А. , Блохин, С. А., Кулагина, М. М., Кузьменков, А. Г., Неведомский, В. Н., Гусева, Ю. А., Устинов, В. М.
  
  Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1484-1488 Малеев_молекулярно
• Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот
  Павельев, Д. Г., Васильев, А. П., Козлов, В. A., Оболенская, Е. С., Оболенский, С. В., Устинов, В. М.
  
  Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот, [Текст] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1493-1497 Павельев_оптимизация
• Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
  Максимов, М. В., Надточий, А. М., Шерняков, Ю. М., Паюсов, А. С., Васильев, А. П., Устинов, В. М. , Сeрин, А. А., Гордеев, Н. Ю., Жуков, А. Е.
  
  Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46мкм на основе квантовых точек на положках GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1191-1196 Максимов_влияние
• Ширина линии излучения и альфа-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
  Блохин, С. А., Бобров, М. А. , Блохин, А. А., Кузьменков, А. Г., Васильев, А. П., Задиранов, Ю. М., Сахаров, А. В., Карачинский, Л. Я., Малеев, Н. А., Устинов, В. М.
  
  Ширина линии излучения и альфа-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 98-104 Блохин_ширина
• Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
  Мамутин, В. В., Малеев, Н. А., Васильев, А. П., Ильинская, Н. Д., Задиранов, Ю. М., Усикова, А. А., Яговкина, М. А., Шерняков, Ю. М., Устинов, В. М.
  
  Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 133-137 Мамутин_исследование
• Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 мm, сформированного методом спекания пластин
  Блохин, С. А., Блохин, А. А., Малеев, Н. А., Устинов, В. М. , Колодезный, Е. С., Бабичев, А. В., Новиков, И. И. , Гладышев, А. Г., Карачинский, Л. Я., Егоров, А. Ю.
  
  Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 мm, сформированного методом спекания пластин, [Электронный ресурс] ил. Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 127, вып. 1. - С. 145-149 Блохин_анализ
• Ширина линии излучения одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 mum, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин
  Блохин, С. А., Бобров, М. А. , Блохин, А. А., Малеев, Н. А., Бабичев, А. В., Новиков, И. И. , Карачинский, Л. Я., Колодезный, Е. С., Егоров, А. Ю., Устинов, В. М.
  
  Ширина линии излучения одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 mum, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин, Я. Н. Ковач, С. А. Блохин, М. А. Бобров [и др.] 1 файл (380 Кб) .- Загл. с титул. экрана .- // Оптика и спектроскопия .- 2023 .- Т. 131, № 11. - С. 1486-1489 .-
• Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров
  Мамутин, В. В., Воробьёв, Л. Е., Васильев, А. П., Лютецкий, А. В., Ильинская, Н. Д., Софронов, А. Н., Фирсов, Д. А., Воробьев, Л. Е., Малеев, Н. А., Устинов, В. М.
  
  Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 7. - С. 812-815 .- Мамутин_изготовление
• Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой
  Бобров, М. А. , Малеев, Н. А., Блохин, С. А., Кузьменков, А. Г., Блохин, А. А., Васильев, А. П., Кулагина, М. М., Задиранов, Ю. М., Трошков, С. И., Устинов, В. М.
  
  Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1408-1413 .- Бобров_поляризационные
• Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
  Цацульников, А. Ф., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Заварин, Е. Е., Усов, С. О., Николаев, А. Е., Яговкина, М. А., Устинов, В. М. , Черкашин, Н. А.
  
  Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1263-1269 .- Цацульников_эпитаксиальный
• Влияние разогрева активной области на динамические и мощностные характеристики квантовых каскадных лазеров, излучающих на длине волны 4.8 мm при комнатной температуре
  Дюделев, В. В., Мамутин, В. В., Чистяков, Д. В., Когновицкая, Е. А., Кучинский, В. И., Малеев, Н. А., Васильев, А. П., Кузьменков, А. Г., Устинов, В. М. , Соколовский, Г. С.
  
  Влияние разогрева активной области на динамические и мощностные характеристики квантовых каскадных лазеров, излучающих на длине волны 4.8 мm при комнатной температуре, [Электронный ресурс] ил. Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 127, вып. 3. - С. 445-448 Дюделев_влияние
• Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот
  Павельев, Д. Г., Васильев, А. П., Козлов, В. А., Кошуринов, Ю. И. , Оболенская, Е. С., Оболенский, С. В., Устинов, В. М.
  
  Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1548-1553 Павельев_моделирование