| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследован эпитаксиальный рост слоев InAlN и транзисторных гетероструктур GaN/AlN/InAlN на установках с реакторами горизонтального типа, имеющими различные размеры: 1 * 2'', 3 * 2'' и 6 * 2''. Исследования структурных свойств выращенных слоев InAlN и электрофизических параметров гетероструктур GaN/AlN/InAlN показало, что оптимальное качество эпитаксиального роста достигается при компромиссных между выращиванием InGaN и AlGaN условиях. Сравнение эпитаксиального роста в различных реакторах показало, что оптимальные условия реализуются на малообъемных реакторах, позволяющих подавить паразитные реакции в газовой фазе. При этом размеры реактора должны быть достаточны для обеспечения высокой однородности параметров гетероструктур по площади для последующего изготовления приборов. Определены оптимальные составы и толщины слоев InAlN для реализации максимальной проводимости транзисторных гетероструктур GaN/AlN/InAlN. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 9. - С. 1263-1269 |
| Имя макрообъекта | Цацульников_эпитаксиальный |
