| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/674837820 |
| Дата корректировки | 15:19:10 20 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Цацульников, А. Ф. | |
|
Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций Электронный ресурс |
|
| Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Исследован эпитаксиальный рост слоев InAlN и транзисторных гетероструктур GaN/AlN/InAlN на установках с реакторами горизонтального типа, имеющими различные размеры: 1 * 2'', 3 * 2'' и 6 * 2''. Исследования структурных свойств выращенных слоев InAlN и электрофизических параметров гетероструктур GaN/AlN/InAlN показало, что оптимальное качество эпитаксиального роста достигается при компромиссных между выращиванием InGaN и AlGaN условиях. Сравнение эпитаксиального роста в различных реакторах показало, что оптимальные условия реализуются на малообъемных реакторах, позволяющих подавить паразитные реакции в газовой фазе. При этом размеры реактора должны быть достаточны для обеспечения высокой однородности параметров гетероструктур по площади для последующего изготовления приборов. Определены оптимальные составы и толщины слоев InAlN для реализации максимальной проводимости транзисторных гетероструктур GaN/AlN/InAlN. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
транзисторные гетероструктуры нитрид галлия нитрид алюминия нитрид индия-алюминия эпитаксиальное выращивание МОС-гидридные реакторы |
|
|
Лундин, В. В. Сахаров, А. В. Заварин, Е. Е. Усов, С. О. Николаев, А. Е. Яговкина, М. А. Устинов, В. М. Черкашин, Н. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 9. - С. 1263-1269 |
| Имя макрообъекта | Цацульников_эпитаксиальный |
| Тип документа | b |
