Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Цацульников, А. Ф.

Статьи. Автор - Цацульников, А. Ф.

• Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники
  Савченко, Г. М., Дюделев, В. В., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Цацульников, А. Ф., Когновицкая, Е. А., Лосев, С. Н., Кучинский, В. И., Аверкиев, Н. С., Соколовский, Г. С.
  
  Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 9. - С. 1680-1683 .- Савченко_фотонно-кристаллический
• Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
  Лундин, В. В., Родин, С. Н., Сахаров, А. В., Лундина, Е. Ю., Усов, С. О., Задиранов, Ю. М., Трошков, С. И., Цацульников, А. Ф.
  
  Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 101-104 Лундин_нитевидные
• Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
  Земляков, В. Е., Волков, В. В., Парнес, Я. М., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Заварин, Е. Е., Цацульников, А. Ф., Черкашин, Н. А., Мизеров, М. Н. , Устинов, В. М.
  
  Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 245-249 .- Тихомиров_оптимизация
• Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
  Цацульников, А. Ф., Лундин, В. В., Заварин, Е. Е., Яговкина, М. А., Сахаров, А. В., Усов, С. О., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Карпов, С. Ю., Устинов, В .М.
  
  Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1401-1406 .- Цацульников_влияние
• Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
  Цацульников, А. Ф., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Заварин, Е. Е., Усов, С. О., Николаев, А. Е., Яговкина, М. А., Устинов, В. М. , Черкашин, Н. А.
  
  Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1263-1269 .- Цацульников_эпитаксиальный
• Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN
  Большаков, А. С., Чалдышев, В. В., Заварин, Е. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В., Цацульников, А. Ф.
  
  Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1451-1454 .- Большаков_оптическая