Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования - Статьи - Базы данных - БГТУ

Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования

Авторы: Земляков, В. Е. Волков, В. В. Парнес, Я. М. Лундин, В. В. Сахаров, А. В. Заварин, Е. Е. Цацульников, А. Ф. Черкашин, Н. А. Мизеров, М. Н. Устинов, В. М.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования Электронный ресурс
Аннотация	Проведены численное моделирование, а также расчетная и экспериментальная оптимизация полевых СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaN/AlN/AlGaN. Результаты выполненных исследований показали, что оптимальные значения толщин и составов слоев гетероструктур, позволяющих реализовать высокую мощность в СВЧ диапазоне, лежат в относительно узких пределах. Проведенные исследования показали возможность эффективного использования численного моделирования для разработки СВЧ HEMT с учетом основных физических явлений и особенностей реальных приборных конструкций.
Ключевые слова	СВЧ транзисторы
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2016
Прочая информация	Т. 50, вып. 2. - С. 245-249
Имя макрообъекта	Тихомиров_оптимизация