| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669833934 |
| Дата корректировки | 17:20:36 23 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Тихомиров, В. Г. | |
|
Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования Электронный ресурс |
|
| Optimization of parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures using numerical modelling | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Проведены численное моделирование, а также расчетная и экспериментальная оптимизация полевых СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaN/AlN/AlGaN. Результаты выполненных исследований показали, что оптимальные значения толщин и составов слоев гетероструктур, позволяющих реализовать высокую мощность в СВЧ диапазоне, лежат в относительно узких пределах. Проведенные исследования показали возможность эффективного использования численного моделирования для разработки СВЧ HEMT с учетом основных физических явлений и особенностей реальных приборных конструкций. |
| Ключевые слова | СВЧ транзисторы |
|
гетероструктуры Si-транзисторы арсенид галлия нитрид галлия полупроводники СВЧ HEMT |
|
|
Земляков, В. Е. Волков, В. В. Парнес, Я. М. Вьюгинов, В. Н. Лундин, В. В. Сахаров, А. В. Заварин, Е. Е. Цацульников, А. Ф. Черкашин, Н. А. Мизеров, М. Н. Устинов, В. М. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 245-249 |
| Имя макрообъекта | Тихомиров_оптимизация |
| Тип документа | b |
