Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Заварин, Е. Е.

Статьи. Автор - Заварин, Е. Е.

• Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
  Земляков, В. Е., Волков, В. В., Парнес, Я. М., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Заварин, Е. Е., Цацульников, А. Ф., Черкашин, Н. А., Мизеров, М. Н. , Устинов, В. М.
  
  Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 245-249 .- Тихомиров_оптимизация
• Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN
  Панькин, Д. В., Смирнов, М. Б., Давыдов, В. Ю., Смирнов, А. Н., Заварин, Е. Е., Лундин, В. В.
  
  Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 8. - С. 1034-1069 .- Панькин_упругие
• Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
  Цацульников, А. Ф., Лундин, В. В., Заварин, Е. Е., Яговкина, М. А., Сахаров, А. В., Усов, С. О., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Карпов, С. Ю., Устинов, В .М.
  
  Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1401-1406 .- Цацульников_влияние
• Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
  Цацульников, А. Ф., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Заварин, Е. Е., Усов, С. О., Николаев, А. Е., Яговкина, М. А., Устинов, В. М. , Черкашин, Н. А.
  
  Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1263-1269 .- Цацульников_эпитаксиальный
• Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN
  Большаков, А. С., Чалдышев, В. В., Заварин, Е. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В., Цацульников, А. Ф.
  
  Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1451-1454 .- Большаков_оптическая