Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе - Статьи - Базы данных - БГТУ

Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе

Авторы: Цацульников, А. Ф. Лундин, В. В. Заварин, Е. Е. Яговкина, М. А. Сахаров, А. В. Усов, С. О. Земляков, В. Е. Егоркин, В. И. Карпов, С. Ю. Устинов, В .М.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе Электронный ресурс
Аннотация	Экспериментально и теоретически изучено влияние толщин и составов слоев в транзисторных гетероструктурах AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и статические параметры тестовых транзисторов, изготовленных из таких гетероструктур. Показано, что при использовании барьера InAlN вместо AlGaN концентрация носителей в канале увеличивается более чем в 2 раза, что приводит к соответствующему увеличению тока насыщения. Нанесение диэлектрического покрытия на поверхность гетероструктур InAlN/AlN/GaN in situ в ростовом процессе позволило увеличить максимальный ток насыщения и пробивные напряжения при сохранении высокой крутизны передаточной характеристики.
Ключевые слова	гетероструктуры
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2016
Прочая информация	Т. 50, вып. 10. - С. 1401-1406
Имя макрообъекта	Цацульников_влияние