| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675009606 |
| Дата корректировки | 14:46:54 22 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Цацульников, А. Ф. | |
|
Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе Электронный ресурс |
|
| The effect of design of GaN/AlN/AlGaN and GaN/AlN/InAlN heterostructures with two-dimensional electron gas on electrophysical properties and characteristics of transistors based on the heterostructures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Экспериментально и теоретически изучено влияние толщин и составов слоев в транзисторных гетероструктурах AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и статические параметры тестовых транзисторов, изготовленных из таких гетероструктур. Показано, что при использовании барьера InAlN вместо AlGaN концентрация носителей в канале увеличивается более чем в 2 раза, что приводит к соответствующему увеличению тока насыщения. Нанесение диэлектрического покрытия на поверхность гетероструктур InAlN/AlN/GaN in situ в ростовом процессе позволило увеличить максимальный ток насыщения и пробивные напряжения при сохранении высокой крутизны передаточной характеристики. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
двумерный электронный газ транзисторы транзисторные гетероструктуры полупроводники |
|
|
Лундин, В. В. Заварин, Е. Е. Яговкина, М. А. Сахаров, А. В. Усов, С. О. Земляков, В. Е. Егоркин, В. И. Булашевич, К. А. Карпов, С. Ю. Устинов, В .М. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 10. - С. 1401-1406 |
| Имя макрообъекта | Цацульников_влияние |
| Тип документа | b |
