-
Монодисперсные сферические частицы кремнезема с контролируемо варьируемым диаметром микро- и мезопор
Стовпяга, Е. Ю., Курдюков, Д. А., Кукушкина, Ю. А., Соколов, В. В., Яговкина, М. А.
Монодисперсные сферические частицы кремнезема с контролируемо варьируемым диаметром микро- и мезопор, [Текст]
ил.
Физика и химия стекла, 2015, Т. 41, № 3. - С. 424-433
-
Матричный синтез монодисперсных сферических нанокомпозитных частиц SiO[2]/GaN : Eu{3+}
Стовпяга, Е. Ю., Еуров, Д. А., Курдюков, Д. А., Смирнов, А. Н., Яговкина, М. А., Yakovlev, D. R., Голубев, В. Г.
Матричный синтез монодисперсных сферических нанокомпозитных частиц SiO[2]/GaN : Eu{3+}, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1000-1005
Стовпяга_матричный
-
Синтез кластеров оксидов железа в мезопорах монодисперсных сферических частиц кремнезема
Стовпяга, Е. Ю., Еуров, Д. А., Курдюков, Д. А., Смирнов, А. Н., Яговкина, М. А., Григорьев, В. Ю., Романов, В. В., Yakovlev, D. R., Голубев, В. Г.
Синтез кластеров оксидов железа в мезопорах монодисперсных сферических частиц кремнезема, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 8. - С. 1598-1603 .-
Стовпяга_синтез
-
Синтез и исследование люминесцентных свойств тантало-ниобата гадолиния, активированного тербием
Гусев, Г. А., Маслобоева, С. М., Яговкина, М. А., Заморянская, М. В.
Синтез и исследование люминесцентных свойств тантало-ниобата гадолиния, активированного тербием, Г. А. Гусев, С. М. Маслобоева, М. А. Яговкина, М. В. Заморянская
1 файл (420 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2022 .-
Т. 130, № 2. - С. 294-299 .-
-
Получение трехмерных ансамблей магнитных кластеров NiO, Co[3]O[4] и NiCo[2]O[4] матричным методом
Курдюков, Д. А., Певцов, А. Б., Смирнов, А. Н., Яговкина, М. А., Григорьев, В. Ю., Романов, В. В., Баграев, Н. Т., Голубев, В. Г.
Получение трехмерных ансамблей магнитных кластеров NiO, Co[3]O[4] и NiCo[2]O[4] матричным методом, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 6. - С. 1176-1181 .-
Курдюков_получение
-
Влияние пористой структуры нанокремнеземов, декорированных оксидами кобальта и церия, на каталитическую активность в селективном окислении CO
Ростовщикова, Т. Н., Еуров, Д. А., Курдюков, Д. А., Томкович, М. В., Яговкина, М. А., Иванин, И. А., Маслаков, К. И., Удалова, О. В., Шилина, М. И.
Влияние пористой структуры нанокремнеземов, декорированных оксидами кобальта и церия, на каталитическую активность в селективном окислении CO, Ростовщикова Т. Н., Еуров Д. А., Курдюков Д. А. [и др.]
// Журнал физической химии .-
2023 .-
Т. 97, № 9. - С. 1312-1323 .-
-
Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
Мамутин, В. В., Малеев, Н. А., Васильев, А. П., Ильинская, Н. Д., Задиранов, Ю. М., Усикова, А. А., Яговкина, М. А., Шерняков, Ю. М., Устинов, В. М.
Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 133-137
Мамутин_исследование
-
Получение и исследование ниобатов-танталатов гадолиния, активированных ионами европия
Гусев, Г. А., Маслобоева, С. М., Кравец, В. А., Яговкина, М. А.
Получение и исследование ниобатов-танталатов гадолиния, активированных ионами европия, Г. А. Гусев, С. М. Маслобоева, В. А. Кравец, М. А. Яговкина
3 рис., 3 табл.
// Неорганические материалы .-
2021 .-
Т. 57, № 4. - С. 404-411 .-
-
Адсорбция бензола в дисперсных поликристаллических фуллеритах
Березкин, В. И., Самонин, В. В., Викторовский, И. В., Никонова, В. Ю., Яговкина, М. А., Голубев, Л. В.
Адсорбция бензола в дисперсных поликристаллических фуллеритах
Журнал физической химии , 2006, Т.80, № 12 .- С. 2226-2233
-
Формирование и трансформация моноклинной и орторомбической фаз в реакторных порошках сверхвысокомолекулярного полиэтилена
Байдакова, М. В. , Дороватовский, П. В., Зубавичус, Я. В., Иванькова, Е. М., Иванчев, С. С., Марихин, В. А., Мясникова, Л. П., Яговкина, М. А.
Формирование и трансформация моноклинной и орторомбической фаз в реакторных порошках сверхвысокомолекулярного полиэтилена, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 9. - С. 1847-1851 .-
Байдакова_формирование
-
Увеличение пористости частиц кремнезема путем уменьшения толщины стенок наноканалов и формирования дополнительной системы микропор
Еуров, Д. А., Кириленко, Д. А., Томкович, М. В., Яговкина, М. А., Курдюков, Д. А.
Увеличение пористости частиц кремнезема путем уменьшения толщины стенок наноканалов и формирования дополнительной системы микропор, Д. А. Еуров, Д. А. Кириленко, М. В. Томкович [и др.]
8 рис., 1 табл.
// Неорганические материалы .-
2022 .-
Т. 58, № 12. - С. 1404-1412 .-
-
Низкотемпературный синтез стеклокерамики с кристаллитами YNbO[4] : Tb{3+}
Кравец, В. А., Иванова, Е. В., Яговкина, М. А., Заморянская, М. В.
Низкотемпературный синтез стеклокерамики с кристаллитами YNbO[4] : Tb{3+}, В. А. Кравец, Е. В. Иванова, М. А. Яговкина, М. В. Заморянская
граф., табл., ил.
// Оптика и спектроскопия .-
2021 .-
Т. 129, вып. 11. - С. 1417-1423 .-
-
Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
Цацульников, А. Ф., Лундин, В. В., Заварин, Е. Е., Яговкина, М. А., Сахаров, А. В., Усов, С. О., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Карпов, С. Ю., Устинов, В .М.
Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1401-1406 .-
Цацульников_влияние
-
Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
Цацульников, А. Ф., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Заварин, Е. Е., Усов, С. О., Николаев, А. Е., Яговкина, М. А., Устинов, В. М. , Черкашин, Н. А.
Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1263-1269 .-
Цацульников_эпитаксиальный