-
Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
Лундин, В. В., Родин, С. Н., Сахаров, А. В., Лундина, Е. Ю., Усов, С. О., Задиранов, Ю. М., Трошков, С. И., Цацульников, А. Ф.
Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 101-104
Лундин_нитевидные
-
Селективный эпитаксиальный рост III-N-структур с использованием ионной нанолитографии
Лундин, В. В., Цацульников, A. Ф., Родин, С. Н., Сахаров, А. В., Усов, С. О., Митрофанов, М. И., Левицкий, Я. В., Евтихиев, В. П.
Селективный эпитаксиальный рост III-N-структур с использованием ионной нанолитографии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1237-1243
Лундин_селективный
-
Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
Цацульников, А. Ф., Лундин, В. В., Заварин, Е. Е., Яговкина, М. А., Сахаров, А. В., Усов, С. О., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Карпов, С. Ю., Устинов, В .М.
Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1401-1406 .-
Цацульников_влияние
-
Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
Цацульников, А. Ф., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Заварин, Е. Е., Усов, С. О., Николаев, А. Е., Яговкина, М. А., Устинов, В. М. , Черкашин, Н. А.
Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1263-1269 .-
Цацульников_эпитаксиальный
