| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Селективный эпитаксиальный рост III-N-структур с использованием ионной нанолитографии Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Проведены исследования селективного эпитаксиального роста GaN методом газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений с использованием ионно-лучевого травления. Исследованы частично маскированные эпитаксиальные слои GaN, на поверхности которых в едином технологическом процессе осаждался тонкий слой Si[3]N[4], в котором ионным пучком формировались окна различной формы. Изучены режимы селективного эпитаксиального роста, и показано, что для формирования объектов субмикрометрового размера в условиях, когда суммарная площадь окон в маске мала относительно общей площади образца, длительность эпитаксии должна составлять 5-10 с, что ухудшает воспроизводимость параметров эпитаксиального процесса. Также показано, что механизм селективного роста объектов, имеющих субмикрометровые размеры, значительно отличается от такового для планарных слоев и селективно- выращенных слоев с размерами в единицы мкм и более. Исследовано влияние потоков прекурсоров (триметилгаллия и аммиака) на характер селективной эпитаксии. Исследованы возможности изменения топологии маски для реализации модельных объектов применительно к фотонным кристаллам, именно изучено влияние формы и ориентации окон в маске Si[3]N[4] на характер селективной эпитаксии. |
| Ключевые слова | селективный эпитаксиальный рост GaN |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 10. - С. 1237-1243 |
|
| Имя макрообъекта | Лундин_селективный |
