| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689874051 |
| Дата корректировки | 15:56:49 10 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.10.46467.8861 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Лундин, В. В. | |
|
Селективный эпитаксиальный рост III-N-структур с использованием ионной нанолитографии Электронный ресурс |
|
| Selective epitxial growth of III-N structures using ion beam nanolithography | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Проведены исследования селективного эпитаксиального роста GaN методом газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений с использованием ионно-лучевого травления. Исследованы частично маскированные эпитаксиальные слои GaN, на поверхности которых в едином технологическом процессе осаждался тонкий слой Si[3]N[4], в котором ионным пучком формировались окна различной формы. Изучены режимы селективного эпитаксиального роста, и показано, что для формирования объектов субмикрометрового размера в условиях, когда суммарная площадь окон в маске мала относительно общей площади образца, длительность эпитаксии должна составлять 5-10 с, что ухудшает воспроизводимость параметров эпитаксиального процесса. Также показано, что механизм селективного роста объектов, имеющих субмикрометровые размеры, значительно отличается от такового для планарных слоев и селективно- выращенных слоев с размерами в единицы мкм и более. Исследовано влияние потоков прекурсоров (триметилгаллия и аммиака) на характер селективной эпитаксии. Исследованы возможности изменения топологии маски для реализации модельных объектов применительно к фотонным кристаллам, именно изучено влияние формы и ориентации окон в маске Si[3]N[4] на характер селективной эпитаксии. |
| Ключевые слова | селективный эпитаксиальный рост GaN |
|
нитрид галлия селективная эпитаксия газофазная эпитаксия ионная нанолитография ионно-лучевое травление эпитаксиальные слои |
|
|
Цацульников, A. Ф. Родин, С. Н. Сахаров, А. В. Усов, С. О. Митрофанов, М. И. Левицкий, Я. В. Евтихиев, В. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 10. - С. 1237-1243 |
|
| Имя макрообъекта | Лундин_селективный |
| Тип документа | b |
