-
Селективный эпитаксиальный рост III-N-структур с использованием ионной нанолитографии
Лундин, В. В., Цацульников, A. Ф., Родин, С. Н., Сахаров, А. В., Усов, С. О., Митрофанов, М. И., Левицкий, Я. В., Евтихиев, В. П.
Селективный эпитаксиальный рост III-N-структур с использованием ионной нанолитографии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1237-1243
Лундин_селективный
-
Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления
Митрофанов, М. И., Левицкий, Я. В., Вознюк, Г. В., Татаринов, Е. Е., Родин, С. Н., Калитеевский, М. А. , Евтихиев, В. П.
Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 816-818
Митрофанов_концентрические
-
Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы
Белоновский, А. В., Позина, Г., Левитский, Я. В., Морозов, К. М., Митрофанов, М. И., Гиршова, Е. И., Иванов, К. А., Родин, С. Н., Евтихиев, В. П., Калитеевский, М. А.
Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 1. - С. 85-88
Белоновский_сильная
