Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Парнес, Я. М.

Статьи. Автор - Парнес, Я. М.

• Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
  Земляков, В. Е., Волков, В. В., Парнес, Я. М., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Заварин, Е. Е., Цацульников, А. Ф., Черкашин, Н. А., Мизеров, М. Н. , Устинов, В. М.
  
  Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 245-249 .- Тихомиров_оптимизация
• AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
  Журавлев, К. С., Журавлёв, К. С., Малин, Т. В., Мансуров, В. Г. , Терещенко, О. Е., Ревизников, Д. Л., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Тихомиров, В. Г., Просвирин, И. П.
  
  AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 3. - С. 395-402 .- Журавлев_AlN