Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
Поиск

AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов

Авторы: Журавлев, К. С. Журавлёв, К. С. Малин, Т. В. Мансуров, В. Г. Терещенко, О. Е. Ревизников, Д. Л. Земляков, В. Е. Егоркин, В. И. Тихомиров, В. Г. Просвирин, И. П.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
Электронный ресурс
Аннотация Рассчитана конструкция AlN/GaN гетероструктур со сверхтонким AlN-барьером для нормально закрытых транзисторов. Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN с двумерным электронным газом. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1А/мм, напряжением насыщения 1 В, крутизной до 350 мС/мм, пробивным напряжением более 60 В. В транзисторах практически отсутствуют эффекты затворного и стокового коллапса тока.
Ключевые слова гетероструктуры
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2017
Прочая информация Т. 51, вып. 3. - С. 395-402
Имя макрообъекта Журавлев_AlN