| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679076940 |
| Дата корректировки | 16:35:30 8 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Журавлев, К. С. | |
|
AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов Электронный ресурс |
|
| SiN/AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 32 назв. |
| Аннотация | Рассчитана конструкция AlN/GaN гетероструктур со сверхтонким AlN-барьером для нормально закрытых транзисторов. Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN с двумерным электронным газом. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1А/мм, напряжением насыщения 1 В, крутизной до 350 мС/мм, пробивным напряжением более 60 В. В транзисторах практически отсутствуют эффекты затворного и стокового коллапса тока. |
| Служебное примечание | Журавлёв, К. С. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
закрытые транзисторы молекулярно-лучевая эпитаксия нитрид галлия барьер Шоттки |
|
|
Малин, Т. В. Мансуров, В. Г. Терещенко, О. Е. Абгарян, К. К. Ревизников, Д. Л. Земляков, В. Е. Егоркин, В. И. Парнес, Я. М. Тихомиров, В. Г. Просвирин, И. П. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 3. - С. 395-402 |
| Имя макрообъекта | Журавлев_AlN |
| Тип документа | b |
