Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Мансуров, В. Г.

Статьи. Автор - Мансуров, В. Г.

• Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN
  Александров, И. А., Журавлёв, К. С., Журавлев, К. С., Мансуров, В. Г.
  
  ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 191-194 .- Александров_влияние
• AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
  Журавлев, К. С., Журавлёв, К. С., Малин, Т. В., Мансуров, В. Г. , Терещенко, О. Е., Ревизников, Д. Л., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Тихомиров, В. Г., Просвирин, И. П.
  
  AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 3. - С. 395-402 .- Журавлев_AlN
• Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами
  Александров, И. А., Журавлёв, К. С., Мансуров, В. Г. , Журавлев, К. С.
  
  Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 8. - С. 1059-1063 Александров_замедление
• Физико-химические аспекты формирования кристаллического слоя AlN на поверхности (0001)Al[2]O[3]
  Мансуров, В. Г. , Журавлёв, К. С., Галицын, Ю. Г., Михайлов, Ю. И., Малин, Т. В., Милахин, Д. С., Журавлев, К. С.
  
  Физико-химические аспекты формирования кристаллического слоя AlN на поверхности (0001)Al[2]O[3], [Электронный ресурс] ил. Химия в интересах устойчивого развития, 2019, Т. 27, № 3. - С. 317-322 Мансуров_физико-химические
• Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3]
  Милахин, Д. С., Малин, Т. В., Мансуров, В. Г. , Галицын, Ю. Г., Кожухов, А. С., Александров, И. А., Ржеуцкий, Н. В., Лебедок, Е. В., Разумец, Е. А., Журавлев, К. С.
  
  Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3], [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2327-2332 .- Милахин_формирование
• Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
  Мансуров, В. Г. , Журавлёв, К. С., Галицын, Ю. Г., Малин, Т. В., Тийс, С. А., Федосенко, Е. В., Кожухов, А. С., Журавлев, К. С., Cora, Ildiko, Pecz, Bela
  
  Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1407-1413 Мансуров_формирование
• Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
  Малин, Т. В., Журавлёв, К. С., Милахин, Д. С., Мансуров, В. Г. , Галицын, Ю. Г., Кожухов, А. С., Ратников, В. В., Смирнов, А. Н., Давыдов, В. Ю., Журавлeв, К. С.
  
  Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 643-650 Малин_влияние