| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследована кинетика образования и термического разложения двумерного нитридного слоя SiN-(8- 8) на поверхности (111)Si. Структура SiN-(8 * 8) является метастабильной промежуточной фазой при нитридизации кремния с образованием стабильной аморфной фазы Si3N[4]. Исследование структуры SiN-(8 * 8) методом сканирующей туннельной микроскопии показывает ее сложное строение, она состоит из адсорбционной фазы (8/3 * 8/3) с латеральным периодом 10.2 A и сотовой структуры со стороной шестиугольника ~ 6 A, который развернут относительно адсорбционной фазы на 30°. Измерена ширина запрещенной зоны SiN-(8 * 8), она равна ~ 2.8 эВ, что меньше в сравнении с шириной запрещенной зоны кристаллической фазы бета-Si[3]N[4] 5.3 эВ. Измерены межплоскостные расстояния в структуре (AlN)[3]/(SiN)[2] на поверхности (111)Si, равные 3.3 A в SiN и 2.86 A в AlN. Такие межплоскостные расстояния указывают на слабое ван-дер-ваальсовое взаимодействие между слоями. Предложена модель структуры SiN-(8 * 8) как плоского графеноподобного слоя, удовлетворяющая как дифракционным, так и микроскопическим данным. |
| Ключевые слова | графеноподобные кристаллы |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 12. - С. 1407-1413 |
|
| Имя макрообъекта | Мансуров_формирование |
