Поиск

Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si

Авторы: Мансуров, В. Г. Журавлёв, К. С. Галицын, Ю. Г. Малин, Т. В. Тийс, С. А. Федосенко, Е. В. Кожухов, А. С. Журавлев, К. С. Cora, Ildiko Pecz, Bela
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/690905585
Дата корректировки 14:28:08 22 ноября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.12.46748.27
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Мансуров, В. Г.
Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
Электронный ресурс
Graphene-like SiN layer formation on (111)Si surface
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 44 назв.
Аннотация Исследована кинетика образования и термического разложения двумерного нитридного слоя SiN-(8- 8) на поверхности (111)Si. Структура SiN-(8 * 8) является метастабильной промежуточной фазой при нитридизации кремния с образованием стабильной аморфной фазы Si3N[4]. Исследование структуры SiN-(8 * 8) методом сканирующей туннельной микроскопии показывает ее сложное строение, она состоит из адсорбционной фазы (8/3 * 8/3) с латеральным периодом 10.2 A и сотовой структуры со стороной шестиугольника ~ 6 A, который развернут относительно адсорбционной фазы на 30°. Измерена ширина запрещенной зоны SiN-(8 * 8), она равна ~ 2.8 эВ, что меньше в сравнении с шириной запрещенной зоны кристаллической фазы бета-Si[3]N[4] 5.3 эВ. Измерены межплоскостные расстояния в структуре (AlN)[3]/(SiN)[2] на поверхности (111)Si, равные 3.3 A в SiN и 2.86 A в AlN. Такие межплоскостные расстояния указывают на слабое ван-дер-ваальсовое взаимодействие между слоями. Предложена модель структуры SiN-(8 * 8) как плоского графеноподобного слоя, удовлетворяющая как дифракционным, так и микроскопическим данным.
Журавлёв, К. С.
Ключевые слова графеноподобные кристаллы
нитрид кремния
кремниевые подложки
кремний
кристаллические слои SiN
ван-дер-ваальсовые кристаллы
Галицын, Ю. Г.
Малин, Т. В.
Тийс, С. А.
Федосенко, Е. В.
Кожухов, А. С.
Журавлев, К. С.
Cora, Ildiko
Pecz, Bela
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 12. - С. 1407-1413
Имя макрообъекта Мансуров_формирование
Тип документа b